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高純鉻靶的目標晶粒尺寸和分布：通常，目標材料具有多晶結構，并且晶粒尺寸可以在微米到毫米的數量級上。 對于相同組成的靶材，細顆粒靶材的濺射速率比粗顆粒高純鉻靶的濺射速率快，而晶粒尺寸較小的靶材具有更均勻的沉積膜厚度分布。 通過真空熔融法制造的靶材可以確保塊內沒有孔，但是通過粉末冶金法制造的高純鉻靶很可能包含一定數量的孔。 孔的存在會在濺射過程中引起異常放電，從而產生雜質顆粒。 此外，由于其密度低，在操作，運輸，安裝和操作過程中，帶有孔的目標很容易破碎。
目標處理流程：集成電路制造用濺射靶的加工工藝主要包括熔煉，均質化，壓力加工，機械加工等工藝。 在嚴格控制靶材純度的基礎上，鉻靶、鈮靶、鈦鋁靶通過優化壓力處理工藝，熱處理條件和機械加工條件，調整靶材的晶粒取向和晶粒尺寸，滿足濺射工藝要求。
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